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TJ11A10M3

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=130mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TJ11A10M3

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TJ11A10M3

MOSFETsSiliconP-ChannelMOS(U-MOS??

Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=100m?(typ.)(VGS=-10V) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-100V) (3)Enhancementmode:Vth=-2.0to-4.0V(VDS=-10V,ID=-1mA) Applications ?SwitchingVoltageRegulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TJ11A10M3,S5Q(M

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TJ11A10M3,S5Q(M供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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