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TJ15P04M3

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TJ15P04M3

IscP-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?SwitchingVoltageRegulators ?FEATURES ?Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=36m?(MAX) ?Enhancementmode: Vth=0.8to2V(VDS=-10V,ID=-7.5A) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

TJ15P04M3

PowerManagementSwitches

Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=28m?(typ.)(VGS=-10V) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-40V) (3)Enhancementmode:Vth=-0.8to-2.0V(VDS=-10V,ID=-0.1mA) Applications ?MotorDrivers ?PowerManagementSwitches

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TJ15P04M3,RQ

  • 功能描述：

    MOSFET P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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更多TJ15P04M3,RQ供應商 更新時間2025-2-8 10:46:00

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