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TJ15S06M3L

Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

1.Applications ?Automotive ?MotorDrivers ?DC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=38.5mΩ(typ.)(VGS=-10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-60V) (4)Enhancementmode:V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TJ15S06M3L

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=63mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TJ15S06M3L

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

TJ15S06M3L

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

TJ15S06M3L

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TJ15S06M3L_V01

Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

1.Applications ?Automotive ?MotorDrivers ?DC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=38.5mΩ(typ.)(VGS=-10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-60V) (4)Enhancementmode:V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號:

    TJ15S06M3L

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    MOSFETs Silicon P-Channel MOS(U-MOS)

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TOSHIBA/東芝
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更多TJ15S06M3L供應(yīng)商 更新時間2025-1-14 11:01:00