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TJ8S06M3L_V01中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TJ8S06M3L_V01
廠商型號(hào)

TJ8S06M3L_V01

功能描述

Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

文件大小

278.12 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-15 18:12:00

TJ8S06M3L_V01規(guī)格書詳情

1. Applications

? Automotive

? Motor Drivers

? DC-DC Converters

? Switching Voltage Regulators

2. Features

(1) AEC-Q101 qualified

(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 80 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

(3) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -60 V)

(4) Enhancement mode: Vth = -2.0 to -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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