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TJ9A10M3

Switching Voltage Regulators

Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=120m?(typ.)(VGS=-10V) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-100V) (3)Enhancementmode:Vth=-2.0to-4.0V(VDS=-10V,ID=-1mA) Applications ?SwitchingVoltageRegulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TJ9A10M3

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TJ9A10M3

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=170mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多TJ9A10M3供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-28 13:00:00

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