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TK11A50D

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK11A50D

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PXU11A50

PXUPIDController

REDLION

Red Lion Controls. Inc

PXU11A50

MODELPXU-TEMPERATURE/PROCESSCONTROLLERS

REDLION

Red Lion Controls. Inc

RES11A50

RES11AMatched,Thin-FilmResistorDividersWith1-kΩInputs

1Features ?Widetemperaturerange:–40°Cto+125°C ?Highratiomatchingprecision:±0.05(maximum) ?Lowdrift:±2ppm/°CTCR(maximum) 2Applications ?Precisionvoltagedivider,precisionleveltranslation ?Gainandattenuatingamplifiers ?DifferenceamplifierswithhighCMRR ?D

TI1Texas Instruments

德州儀器

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TK11A50D

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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更多TK11A50D供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 9:02:00

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