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TK12E60W

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK12E60W

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS??

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK12E60U

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK12E60U

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

TK12E60U

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS??

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    TK12E60W

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Toshiba
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TO-220
9000
公司只做原裝正品!現(xiàn)貨庫(kù)存!可隨時(shí)看貨!
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TOS原裝
22+23+
TO-220
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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TOSHIBA
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只做原裝正品假一賠十為客戶(hù)做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
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只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA
21+
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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TOSHIBA(東芝)
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正納10年以上分銷(xiāo)經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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23+
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更多TK12E60W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 16:10:00

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