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TK13A50D_V01

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)

SwitchingRegulatorApplications Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.31Ω(typ.) Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=7.5S(typ.) Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=500V) Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TK13A50D_V01供應商 更新時間2025-1-20 17:53:00

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