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TK190E65Z

Marking:K190E65Z;Package:TO-220;MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.158Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.61mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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更多TK190E65Z供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-6 15:00:00