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TK30A06J3

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

TK30A06J3A

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK30A06J3A

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

TK30A06J3A

FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

SwitchingRegulatorApplications ●Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=19m?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=34S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) ●Enhancementmode:Vth=1.3to2.5V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    TK30A06J3A(Q)

  • 制造商：

    Toshiba

  • 功能描述：

    Nch 60V 30A 0.026@10V TO220SIS Bulk

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA/東芝
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TOS
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NA
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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA/東芝
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更多TK30A06J3A(Q)供應(yīng)商 更新時間2025-2-26 11:00:00

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