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TK31V60W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.078Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1.5mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK31V60X

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.078Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=1.5mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TK31V60WLVQ(S供應(yīng)商 更新時間2024-11-17 17:08:00

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