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TK3P80E中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TK3P80E
廠商型號

TK3P80E

功能描述

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

絲印標識

TK3P80E

封裝外殼

DPAK

文件大小

382.93 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 23:00:00

TK3P80E規(guī)格書詳情

Applications

? Switching Voltage Regulators

Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.9 Ω (typ.)

(2) Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 640 V)

(3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)

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