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TK3R9E10PL中文資料東芝數據手冊PDF規(guī)格書

TK3R9E10PL
廠商型號

TK3R9E10PL

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

絲印標識

K3R9E10PL

封裝外殼

TO-220

文件大小

629.46 Kbytes

頁面數量

9

生產廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-30 10:02:00

TK3R9E10PL規(guī)格書詳情

1. Applications

? High-Efficiency DC-DC Converters

? Switching Voltage Regulators

? Motor Drivers

2. Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 26 nC (typ.)

(3) Small output charge: Qoss = 99 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 100 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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