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PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

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PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.4Ω(typ.) (2)Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=2.5S(typ.) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) (4)Enhancementmode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

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N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

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PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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SwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TOSHIBA/東芝
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原盒原標(biāo),正品現(xiàn)貨 誠(chéng)信經(jīng)營(yíng) 價(jià)格美麗 假一罰十!
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英瑞芯只做原裝正品!!!
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只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
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原裝正品.假一罰十
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更多TK4P60DRQ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 9:30:00

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