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K50P04M1

P-Channel40V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

TK50P04M1

High-EfficiencyDC-DCConverterApplicationsSwitchingRegulator

Features (1)High-speedswitching (2)Lowgatecharge:QSW=9.4nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=6.7m?(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=40V) (5)Enhancementmode:Vth=1.3to2.3V(VDS=10V,ID=0.5mA) Applications ?Swi

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK50P04M1

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

TK50P04M1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

TK50P04M1

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK50P04M1

P-Channel40V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

詳細參數

  • 型號:

    TK50P04M1(T6RSS-Q)

  • 功能描述:

    MOSFET N-ch 40V 50A DP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TK50P04M1(T6RSS-Q)供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00