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TK60P03M1

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK60P03M1

DC-DCConverters

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    TK60P03M1,RQ

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch MOS 60A 30V 63W 2700pF 0.0078

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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更多TK60P03M1,RQ供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 11:02:00