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TK6Q65W

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.89Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=0.18mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK6Q65W

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.05Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多TK6Q65W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-6 17:25:00

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