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TK80E06K3A

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ??

Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=4.8m?(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) (3)Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA) Applications ?SwitchingVoltageRegulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TK80E06K3A供應商 更新時間2024-11-15 10:20:00

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