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4269	文件：238.25 Kbytes Page：1 Pages	CLEARTHRU-HOLESPACER	KEYSTONE Keystone Electronics Corp.	KEYSTONE
BD4269EFJ-C	文件：922.16 Kbytes Page：28 Pages	AEC-Q100Qualifies	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BD4269FJ-C	文件：922.16 Kbytes Page：28 Pages	AEC-Q100Qualifies	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
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CEM4269	文件：782.58 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,6.1A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. RDS(ON)=46mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired. -40V,-5.2A,RDS(ON)=43mW@VGS=10V. RDS(ON)=65mW@VGS=	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM4269A	文件：1.33561 Mbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,6.0A,RDS(ON)=34mW@VGS=10V. RDS(ON)=49mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. -40V,-5.2A,RDS(ON)=43mW@VGS=10V. RDS(ON)=65mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU4269	文件：804.63 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,14A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RDS(ON)=46mW@VGS=4.5V. -40V,-12A,RDS(ON)=45mW@VGS=10V. RDS(ON)=65mW@VGS=4.5V. TO-252-4Lpackage. Leadfreeproductisacquir	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU4269	文件：633.12 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■40V,14A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-12A,RDS(ON)=45mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=65mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapab	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CHM4269JPT	文件：586.36 Kbytes Page：5 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor N-channel:VOLTAGE40VoltsCURRENT6.1Ampere P-channel:VOLTAGE40VoltsCURRENT5.2Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Leadfreeproductisacquired. Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION *Servomo	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
EM4269	文件：54.69 Kbytes Page：1 Pages	512bitRead/WriteContactlessIdentificationDevice	EMMICRO EM Microelectronic - MARIN SA	EMMICRO
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MAX4269EEE	文件：361.04 Kbytes Page：16 Pages	Ultra-Low-Distortion,Single-Supply,300MHzOpAmpswithEnable GeneralDescription TheMAX4265–MAX4270ultra-lowdistortion,voltage-feedbackopampsarecapableofdrivinga100?loadwhilemaintainingultra-lowdistortionoverawidebandwidth. Theyoffersuperiorspurious-freedynamicrange(SFDR)performance:-90dBcat5MHzand-59dBcat100MHz(MAX426	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX4269ESD	文件：361.04 Kbytes Page：16 Pages	Ultra-Low-Distortion,Single-Supply,300MHzOpAmpswithEnable GeneralDescription TheMAX4265–MAX4270ultra-lowdistortion,voltage-feedbackopampsarecapableofdrivinga100?loadwhilemaintainingultra-lowdistortionoverawidebandwidth. Theyoffersuperiorspurious-freedynamicrange(SFDR)performance:-90dBcat5MHzand-59dBcat100MHz(MAX426	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	TLE4269-G	INFINEON	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
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