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TLV2333ID

CMOSOperationalAmplifiersZero-Drift

TI1Texas Instruments

德州儀器

TLV2333IDGKR

CMOSOperationalAmplifiersZero-Drift

TI1Texas Instruments

德州儀器

TLV2333IDGKT

CMOSOperationalAmplifiersZero-Drift

TI1Texas Instruments

德州儀器

TLV2333IDR

CMOSOperationalAmplifiersZero-Drift

TI1Texas Instruments

德州儀器

TLV2333IDR-TP

CMOSOperationalAmplifierZeroDrift

Features ?GeneralPurpose,LowCost 'GainBandwidthProduct:350KHz oLowQuiescentCurrent:17uA/Amplifier ?0.01Hz-10HzNoise:1.5pVep ZeroDrift:0.01uV/I°C(Typ) oInputBiasCurrent:20pA ?UnityGainStable oRail-to-RailInputandOutput ?SingleorDualSupplyOp

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

ULV2333

MICRO-POWER,ZERO-DRIFT,RAIL-TO-RAILINPUT/OUTPUTCMOSDUALOPERATIONALAMPLIFIERS

?DESCRIPTION TheUTCULV2333CMOSdualoperationalamplifiersprovide verylowoffsetvoltageandzero-driftovertimeandtemperature. Theminiature,highprecision,lowquiescentcurrentamplifiers offerhigh-impedanceinputsthathaveawideinputcommonmode rangeof100mVbeyondtherai

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

VBA2333

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

VBA2333

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

WST2333

P-Channel12-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?BuiltinESDProtectionwithZenerDiode ?TypicalESDPerformance:1800V ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PortableDevices -LoadSwitch -BatterySwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

WST2333

P-ChMOSFET

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微碩半導(dǎo)體微碩半導(dǎo)體(深圳)有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TI/德州儀器
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只做原裝在原廠和代理搬貨
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只做原裝!原廠和代理商的搬運(yùn)工!
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更多TLV2333AIDGKR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-24 8:46:00