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TK10E60W

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.38Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

TK10E60W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS??

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

V10E60P

Reducedfootprintandvolumerequiredforsurgeprotection

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TMG10E60供應商 更新時間2025-2-24 16:15:00