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TN2010T	文件：46.91 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeMOSFETTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
TNPW2010	文件：85.51 Kbytes Page：4 Pages	ThinFilm,Rectangular,ResistorChips TNPWHighStabilityThinFilmChipResistorsaretheperfectchoiceformostfieldsofmodernelectronicswherelead(Pb)-bearingterminationsaremandatoryandreliabilityandstabilityareofmajorconcern. FEATURES ?Metalfilmlayeronhighqualityceramic ?SnPbterminationplating,Pbcon	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
TNPW2010	文件：133.01 Kbytes Page：10 Pages	HighStabilityThinFilmFlatChipResistors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
TNPW2010	文件：133.01 Kbytes Page：10 Pages	HighStabilityThinFilmFlatChipResistors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
TNPW2010	文件：111.5 Kbytes Page：8 Pages	HighStabilityThinFilmChipResistor TNPWPrecisionThinFilmFlatChipResistorsaretheperfectchoiceformostfieldsofmodernelectronicswherereliabilityandstabilityisofmajorconcern.Typicalapplicationsincludetelecommunication,industrial,medicalequipment,high-endcomputerandaudio/videoelectronics. FEATURES ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
TNPW2010	文件：133.01 Kbytes Page：10 Pages	HighStabilityThinFilmFlatChipResistors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
TP2010D	文件：219.31 Kbytes Page：1 Pages	4x4mmLowProfileTactileSwitches	GREATECS Createcs	GREATECS
TPH2010FNH	文件：227.11 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconN-channelMOS Applications ?High-EfficiencyDC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=2.6nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=168mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=250V) (	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TPIC2010	文件：1.51713 Mbytes Page：70 Pages	SerialI/FControlled9-ChannelMotor-Driver	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
TPN2010FNH	文件：234.65 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconN-channelMOS Applications ?High-EfficiencyDC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=2.6nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=168mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=250V) (	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TPS2010	文件：366.93 Kbytes Page：17 Pages	POWER-DISTRIBUTION	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
TPS2010	文件：720.06 Kbytes Page：21 Pages	POWER-DISTRIBUTION	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
TPS2010	文件：940.96 Kbytes Page：21 Pages	POWER-DISTRIBUTION	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
TPS2010A	文件：356.45 Kbytes Page：22 Pages	POWER-DISTRIBUTIONSWITCHES	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
TPS2010A	文件：1.23691 Mbytes Page：29 Pages	POWER-DISTRIBUTIONSWITCHES	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
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TPS2010APWP	文件：356.45 Kbytes Page：22 Pages	POWER-DISTRIBUTIONSWITCHES	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
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