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TN0604N3-G

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

SUTEX

Supertex, Inc

TN0604N3-G

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

SUTEX

Supertex, Inc

TN0604N3-GP002

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

SUTEX

Supertex, Inc

TN0604N3-GP003

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

SUTEX

Supertex, Inc

TN0604N3-GP005

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

SUTEX

Supertex, Inc

TN0604N3-GP013

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

SUTEX

Supertex, Inc

TN0604N3-GP014

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

SUTEX

Supertex, Inc

TN0604N3

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs

SUTEX

Supertex, Inc

TN0604N3

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs

Features ?Lowthreshold—1.6Vmax. ?Highinputimpedance ?Lowinputcapacitance—140pFtypical ?Fastswitchingspeeds ?Lowonresistance ?Freefromsecondarybreakdown ?Lowinputandoutputleakage ?ComplementaryN-andP-channeldevices Applications ?Log

SUTEX

Supertex, Inc

TP0604N3

P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs

GeneralDescription Thislowthreshold,enhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinpu

SUTEX

Supertex, Inc

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TN0604N3-G

  • 功能描述：

    MOSFET 40V 0.75Ohm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Microchip Technology
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TO-92-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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只做原裝正品
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MICROCHIP/美國微芯
2021+
TO-92(TO-92-3)
7600
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 詢價
更多TN0604N3-G供應(yīng)商 更新時間2025-3-10 18:07:00

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