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LMH6503MA

Wideband,LowPower,LinearVariableGainAmplifier

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

TPC6503

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPC6503

TransistorSiliconNPNEpitaxialType

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPHR6503PL

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications ?High-EfficiencyDC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=30nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=81.3nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.41mΩ(typ.)(VGS=10V) (5)Lowleak

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TSHA6503

InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,875nm,GaAlAs

Description TheTSHA650.seriesarehighefficiencyinfraredemittingdiodesinGaAlAsonGaAlAstechnology,moldedinaclear,untintedplasticpackage. IncomparisonwiththestandardGaAsonGaAstechnologythesehighintensityemittersfeatureabout70radiantpowerimprovement. Incontras

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

WFSA6503

N-ChannelandP-ChannelSiliconMOSFETs

Features ■LowOn-resistance. ■CompositetypewithanN-channelMOSFETandaP-channelMOSFETdrivingfroma4.5V/-4.5Vsupplyvoltagecontainedinasinglepackage. ■High-densitymounting. ■RoHScompliant. Applications ■General-PurposeSwitchingDevice ■Formotordrive

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

XC6503

CLCapacitor-Less500mALowPowerConsumptionHighSpeedLDORegulator

TOREXTorex Semiconductor

特瑞仕特瑞仕半導體株式會社

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更多TN6503供應商 更新時間2025-4-17 9:53:00

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