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TP5322K1-G中文資料SUTEX數據手冊PDF規(guī)格書

TP5322K1-G
廠商型號

TP5322K1-G

功能描述

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

文件大小

306.65 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商 Supertex, Inc
企業(yè)簡稱

SUTEX

中文名稱

Supertex, Inc官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-5 20:00:00

TP5322K1-G規(guī)格書詳情

General Description

These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize an advanced vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.

Features

? Low threshold, -2.4V max.

? High input impedance

? Low input capacitance, 110pFmax.

? Fast switching speeds

? Low on resistance

? Free from secondary breakdown

? Low input and output leakage

? Complementary N- and P-channel devices

Application

? Logic level interfaces-ideal for TTL and CMOS

? Battery operated systems

? Photo voltaic devices

? Analog switches

? General purpose line drivers

? Telecom switches

產品屬性

  • 型號:

    TP5322K1-G

  • 功能描述:

    MOSFET 220V 12 Ohm 0.7A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MICROCHIP/微芯
23+
SOT-23
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Microchip Technology
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