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TPC8A03-H中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TPC8A03-H
廠商型號

TPC8A03-H

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode

文件大小

217.01 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 11:18:00

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TPC8A03-H規(guī)格書詳情

High Efficiency DC-DC Converter Applications

Notebook PC Applications

Portable Equipment Applications

? Built-in schottky barrier diode

Low forward voltage: VDSF = ?0.6 V (max)

? High-speed switching

? Small gate charge: QSW = 8.4 nC (typ.)

? Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 4.1 mΩ (typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 54 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 30 V)

? Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    TPC8A03-H

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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