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TPCA8102-H

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

TPCC8102

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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TPCC8102

FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS??

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Smallfootprintduetoasmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceON-resistance: RDS(ON)=14.5mΩ(typ.)(VGS=-10V) ?Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-30V) ?Enhancementmode:Vth

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TPCF8102

FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=24m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=14S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=?10μA(max)(VDS=?20V) ?Enhancementmode:Vth=?0.5to?1.2V

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TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII)

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TPCM8102

FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS??

LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Smallfootprintduetoasmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=6.0mΩ(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=44S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=?10μA(

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS??

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Smallfootprintduetosmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=13.5mΩ(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=24S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-20V) ?Enhancement

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LithiumIonBatteryApplicationsPortableEquipmentApplicationsNotebookPCs

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Lithium-IonBatteryApplicationsPortableEquipmentApplicationsNotebookPCApplications

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    TPCA8102(TE12L,Q,M

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFET P-Ch 30V 40A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Toshiba Semiconductor and Stor
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