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DMN26D0UFB4

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODES

Diodes Incorporated

DMN26D0UFB4

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits ?N-ChannelMOSFET ?LowOn-Resistance ?VeryLowGateThresho

DIODES

Diodes Incorporated

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更多TPDMN26D0UFB4供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 8:02:00

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