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70R600P

700V0.6(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

HCD70R600S

700VN-ChannelSuperJunctionMOSFET

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HCD70R600S

SuperiorAvalancheRuggedTechnology

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HCP70R600S

SuperiorAvalancheRuggedTechnology

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HCS70R600S

N-ChannelSuperJunctionMOSFET

FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·PowerFactorCorrection(PFC) ·TVPower&LEDlightingPower ·ACtoDCConverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

HCS70R600S

RobustGateOxideTechnology

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HCU70R600S

700VN-ChannelSuperJunctionMOSFET

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

IIPD70R600CE

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?Veryhighcommutationruggedness ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPAW70R600CE

700VCoolMOS?CEPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD70R600CE

700VCoolMOS?CEPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD70R600CE

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?Veryhighcommutationruggedness ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPS70R600CE

700VCoolMOS?CEPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPSA70R600CE

700VCoolMOS?CEPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

MMD70R600P

700V0.6(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMD70R600P

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MMD70R600PRH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MMD70R600PRH

700V0.6(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMF70R600P

700V0.6(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMF70R600P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MMF70R600PTH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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更多TPG70R600M供應商 更新時間2025-1-10 15:00:00