TPH1R306P1中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	TPH1R306P1
功能描述	MOSFETs Silicon N-channel MOS
絲印標識	TPH1R306P1
封裝外殼	SOP
文件大小	586.28 Kbytes
頁面數(shù)量	9 頁
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-5-21 10:28:00
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Applications

? High-Efficiency DC-DC Converters

? Switching Voltage Regulators

? Motor Drivers

Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 22 nC (typ.)

(3) Small output charge: Qoss = 77.5 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.96 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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