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TPH1R712MD

Marking：TPH1R712MD；Package：SOP；MOSFETs Silicon P-Channel MOS

Applications ?Lithium-IonSecondaryBatteries ?PowerManagementSwitches Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.35mΩ(typ.)(VGS=-4.5V) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-20V) (3)Enhancementmode:Vth=-0.5to-1.2V(VDS=-10V,ID=-1.0mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TPH1R712MD供應(yīng)商 更新時間2025-1-27 9:00:00

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