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TPH2R306NH

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications ?DC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators ?MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.9mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) (5)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TPH2R306NHLQ(MT供應(yīng)商 更新時間2025-2-9 10:00:00