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TPH2R306PL1

Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

1.Applications ?High-EfficiencyDC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators ?MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=19nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=51nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.7mΩ(typ.)(VGS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPH2R306NH

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications ?DC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators ?MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.9mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) (5)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TPH2R306PL供應商 更新時間2025-1-28 9:30:00

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