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TPH4R008NH1

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications ?High-EfficiencyDC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators ?MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=18nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=77nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.3mΩ(typ.)(VGS=10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TPH4R008NH1,LQ(M供應(yīng)商 更新時間2025-1-10 15:00:00

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