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TPM1919-60中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TPM1919-60
廠商型號

TPM1919-60

功能描述

MICROWAVE POWER GAAS FET

文件大小

120.76 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-13 22:30:00

TPM1919-60規(guī)格書詳情

FEATURES :

■ HIGH POWER

P1dB = 48.0 dBm at 1.9 GHz

■ HIGH GAIN

G1dB = 13 dB at 1.9 GHz

■ PARTIALLY MATCHED TYPE

■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    TPM1919-60

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANSISTOR, GAAS FET PARTIALLY MATCHED, 1GHZ, 185W - Trays

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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