首頁(yè)>TPM604NY3-2>規(guī)格書(shū)詳情
TPM604NY3-2中文資料臺(tái)舟電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
廠商型號(hào) |
TPM604NY3-2 |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | SOT223 |
文件大小 |
1.93353 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | TECH PUBLIC Electronics co LTD |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
TECHPUBLIC【臺(tái)舟電子】 |
中文名稱(chēng) | 臺(tái)舟電子股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-27 18:30:00 |
相關(guān)芯片規(guī)格書(shū)
更多TPM604NY3-2規(guī)格書(shū)詳情
GENERAL FEATURES
60V, 4A, Rps(on) = 85mQ @Vgs = 10V.
Rpsion) = 100mQ @Vgs = 4.5V.
High dense cell design for extremely low Rps(on)-
Rugged and reliable.
Lead free product is acquired.
SOT-223 package.
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SURGING(紹鑫) |
23+ |
5000 |
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤(pán) |
詢(xún)價(jià) | |||
24+ |
N/A |
58000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢(xún)價(jià) | |||
TECH PUBLIC(臺(tái)舟) |
23+ |
SOT-223 |
740 |
三極管/MOS管/晶體管 > 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) |
詢(xún)價(jià) |