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TPN11006NL中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

TPN11006NL
廠商型號(hào)

TPN11006NL

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

文件大小

238.85 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-27 20:00:00

TPN11006NL規(guī)格書詳情

Applications

? Switching Voltage Regulators

? DC-DC Converters

? Motor Drivers

Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 6.4 nC (typ.)

(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 9.6 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

(5) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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