TPN1110ENH中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	TPN1110ENH
功能描述	MOSFETs Silicon N-channel MOS
文件大小	238.41 Kbytes
頁面數(shù)量	9 頁
生產廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會社東芝官網
原廠標識
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更新時間	2025-5-5 8:31:00
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Applications

? High-Efficiency DC-DC Converters

? Switching Voltage Regulators

Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 2.6 nC (typ.)

(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 96 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 200 V)

(5) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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