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TPN11NL	文件：236.01 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS Applications ?SwitchingVoltageRegulators ?DC-DCConverters Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=2.0nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=12.6mΩ(typ.)(VGS=4.5V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) (5)Enhancement	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA

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MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators ?DC-DCConverters Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=2.0nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=12.6mΩ(typ.)(VGS=4.5V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) (5)Enhancement

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更多TPN11NL供應(yīng)商更新時(shí)間2025-2-4 10:08:00

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