TPN4R712MD中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào)	TPN4R712MD
功能描述	MOSFETs Silicon P-Channel MOS
文件大小	751.64 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	9 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會(huì)社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
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更新時(shí)間	2025-1-21 23:00:00

Applications

? Lithium-Ion Secondary Batteries

? Power Management Switches

Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.8 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V)

(2) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -20 V)

(3) Enhancement mode: Vth = -0.5 to -1.2 V (VDS = -10 V, ID = -1.0 mA)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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