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TPH6R003NL

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators ?DC-DCConverters Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=4.3nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=6.8mΩ(typ.)(VGS=4.5V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) (5)Enhancementm

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPN6R003NL

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TPN6R003NL

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

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更多TPN6R003NLLQ供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00