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TPR1000 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 MICROSEMI/美高森美

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原廠料號(hào)：TPR1000品牌：MICROSEMI

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TPR1000是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商MICROSEMI/Microsemi Corporation生產(chǎn)封裝55KV的TPR1000晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號(hào)：

    TPR1000

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    GHZTECH詳情

  • 廠商全稱：

    GHz Technology

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    2 頁

  • 文件大小：

    71.87 kb

  • 資料說明：

    high power COMMON BASE bipolar transistor.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TPR1000

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    65V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.09GHz

  • 增益：

    6dB

  • 功率 - 最大值：

    2900W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10 @ 1A，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    80A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    55KV

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    55KV

  • 描述：

    RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科雨電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    周小姐

  • 手機(jī)：

    17147551968

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    171-4755-1968

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2418室

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