TPR1000分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
TPR1000 |
| 參數(shù)屬性 | TPR1000 封裝/外殼為55KV；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV |
| 功能描述 | high power COMMON BASE bipolar transistor. |
| 封裝外殼 | 55KV |
| 文件大小 |
71.87 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | GHz Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
GHZTECH |
| 中文名稱 | GHz Technology官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-16 21:52:00 |
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TPR1000規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
The TPR 1000 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 1090 MHz. The device has gold thin-film metallization for proven highest MTTF. The transistor includes input returns for fast rise time. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
TPR1000
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
65V
- 頻率 - 躍遷：
1.09GHz
- 增益：
6dB
- 功率 - 最大值：
2900W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
80A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
55KV
- 供應商器件封裝：
55KV
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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