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TPR175分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

TPR175
廠商型號(hào)

TPR175

參數(shù)屬性

TPR175 封裝/外殼為55CX;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX

功能描述

NPN SILICON RF-MICROWAVE POWER TRANSISTOR

封裝外殼

55CX

文件大小

23.13 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 Advanced Semiconductor
企業(yè)簡稱

ASI

中文名稱

Advanced Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-16 17:51:00

TPR175規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The ASI TPR175 is a common base transistor Designed for pulsed systems in the frequency band 1030-1090 MHz.

FEATURES:

? Common Base

? Internal Matching Network

? PG = 8.0 dB at 175 W/1090 MHz

? Omnigold? Metalization System

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    TPR175

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    55V

  • 頻率 - 躍遷:

    1.03GHz ~ 1.09GHz

  • 增益:

    8dB ~ 9dB

  • 功率 - 最大值:

    290W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 20mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    9A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    55CX

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    55CX

  • 描述:

    RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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2324+
6000
原裝正品,超低價(jià)出售
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