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TPR175分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

TPR175
廠商型號(hào)

TPR175
參數(shù)屬性

TPR175 封裝/外殼為55CX；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX
功能描述

NPN SILICON RF-MICROWAVE POWER TRANSISTOR
封裝外殼

55CX
文件大小

23.13 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Advanced Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ASI

中文名稱

Advanced Semiconductor官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-3-3 19:31:00
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TPR175規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The ASI TPR175 is a common base transistor Designed for pulsed systems in the frequency band 1030-1090 MHz.

FEATURES:

? Common Base

? Internal Matching Network

? PG = 8.0 dB at 175 W/1090 MHz

? Omnigold? Metalization System

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TPR175

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    55V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.03GHz ~ 1.09GHz

  • 增益：

    8dB ~ 9dB

  • 功率 - 最大值：

    290W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10 @ 20mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    9A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    55CX

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    55CX

  • 描述：

    RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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