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TPS7H6003-SP_V02

TPS7H60x3-SP Radiation-Hardness-Assured 1.3A, 2.5A, Half Bridge GaN FET Gate Drivers

1Features ?RadiationPerformance: –Radiation-hardness-assurance(RHA)upto totalionizingdose(TID)of100krad(Si) –Single-eventlatchup(SEL),single-event burnout(SEB),andsingle-eventgaterupture (SEGR)immunetolinearenergytransfer(LET) =75MeV-cm2/mg –Single-eventtransi

TI1Texas Instruments

德州儀器

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更多TPS7H6003-SP_V02供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-31 10:36:00

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