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TPWNM2072-3SLASHTR中文資料臺舟電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TPWNM2072-3SLASHTR
廠商型號

TPWNM2072-3SLASHTR

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識

N5.P

封裝外殼

DFN1006-3L

文件大小

2.54012 Mbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 TECH PUBLIC Electronics co LTD
企業(yè)簡稱

TECHPUBLIC臺舟電子

中文名稱

臺舟電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-18 23:00:00

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TPWNM2072-3SLASHTR規(guī)格書詳情

Features

VS = 20v

+ RDS(ON) =300mQ (typ) @ VGS= 2.5V/

+ RDS(ON) =250mQ (typ) @ VGS= 4.5V/

+ ESD Protected up to 2KV.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA(東芝)
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8735
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