序號(hào) |
型號(hào) |
極限工作電壓 |
最大電流允許值 |
最大耗散功率 |
放大倍數(shù) |
最大工作頻率 |
制作材料 |
1 | AC553
| 20V | 0.3A | 0.12W | | <1MHZ或未知 | Ge-PNP |
2 | AC554
| 26V | 0.3A | 0.12W | | <1MHZ或未知 | Ge-PNP |
3 | AC555
| 32V | 0.3A | 0.12W | | <1MHZ或未知 | Ge-PNP |
4 | AC556
| 16V | 1A | 0.23W | | <1MHZ或未知 | Ge-PNP |
5 | AC556K
| 16V | 1A | 0.35W | | <1MHZ或未知 | Ge-PNP |
6 | AC558
| 25V | 1A | 0.23W | | <1MHZ或未知 | Ge-NPN |
7 | AC558K
| 25V | 1A | 0.35W | | <1MHZ或未知 | Ge-NPN |
8 | AC570
| 70V | 0.5A | | β=40 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
9 | AC571
| 70V | 0.5A | | β=60 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
10 | AC572
| 70V | 0.5A | | β=85 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
11 | AC573
| 70V | 0.5A | | β=110 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
12 | AC577
| 70V | 0.5A | | β=110 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
13 | AC598
| 105V | 0.2A | | β=60 | <1MHZ或未知 | Si-PNP |
14 | ACG
| 120V | 0.1A | | | 100MHZ | Si-PNP |
15 | ACL
| 30V | 0.05A | | | 1.5GHZ | Si-NPN |
16 | ACL
| 60V | 0.6A | 0.6W | | <1MHZ或未知 | Si-NPN |
17 | ACL
| 120V | 0.1A | | | 100MHZ | Si-PNP |
18 | ACM
| 30V | 0.05A | | | 1.5GHZ | Si-NPN |
19 | ACM
| 30V | 0.05A | | | 1.5GHZ | Si-NPN |
20 | ACN
| 30V | 0.05A | | | 1.5GHZ | Si-NPN |
21 | ACN
| 60V | 0.6A | 0.6W | | <1MHZ或未知 | Si-NPN |
22 | ACO
| 50V | 0.5A | | | 200MHZ | Si-PNP |
23 | ACOV8BGM
| 200V | 0.8A | | | <1MHZ或未知 | Triac |
24 | ACOV8DGM
| 400V | 0.8A | | | <1MHZ或未知 | Triac |
25 | ACP
| 30V | 0.05A | | | 1.5GHZ | Si-NPN |
26 | ACQ
| 30V | 0.05A | | | 1.5GHZ | Si-NPN |
27 | ACY10(I)
| 32V | 0.05A | | β>32 | <1MHZ或未知 | Ge-PNP |
28 | ACY11(I)
| 32V | 0.05A | | β>38 | <1MHZ或未知 | Ge-PNP |
29 | ACY12(I)
| 32V | 0.05A | | β>38 | <1MHZ或未知 | Ge-PNP |
30 | ACY13(I)
| 16V | 0.05A | | β>50 | <1MHZ或未知 | Ge-PNP |