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TUSB1310

USB3.0TransceiverDataManual

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TUSB1310

USB3.0Transceiver

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TUSB1310A

USB3.0Transceiver

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USB3.0Transceiver

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USB3.0Transceiver

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TUSB1310IZAYR

USB3.0TransceiverDataManual

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TVA1310

AluminumCapacitors85C,Miniature,AxialLead

FEATURES ?Lowleakagecurrent ?Longshelflife ?IdealforapplicationinTVsets,autoradios,radio-phonecombinations,electronictestingequipment ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VBA1310

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested APPLICATIONS ?NotebookCPUCore -High-SideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

VBA1310S

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode

GeneralDescription TheVBA1310SusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),shoot-throughimmunityandbodydiodecharacteristics.ThisdeviceissuitableforuseasasynchronousswitchinPWMapplications.Theco-packagedSchottkyDiodeboostsefficiencyfurther. Features

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

VBA1310S

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode

GeneralDescription TheVBA1310Susesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),shoot-throughimmunityand bodydiodecharacteristics.Thisdeviceissuitablefor useasasynchronousswitchinPWMapplications. Theco-packagedSchottkyDiodeboostsefficiency further. Feat

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VBE1310

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

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VBE1310

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBL1310

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBM1310

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU

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