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TSC2005	文件：796.66 Kbytes Page：42 Pages	1.6Vto3.6V,12-Bit,Nanopower,4-WireTOUCHSCREENCONTROLLERwithSPIInterface	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
TSC2005	文件：768.22 Kbytes Page：44 Pages	1.6Vto3.6V,12-Bit,Nanopower,4-WireTOUCHSCREENCONTROLLERwithSPI??Interface	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
TSC2005I	文件：796.66 Kbytes Page：42 Pages	1.6Vto3.6V,12-Bit,Nanopower,4-WireTOUCHSCREENCONTROLLERwithSPIInterface	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
TSC2005I	文件：768.22 Kbytes Page：44 Pages	1.6Vto3.6V,12-Bit,Nanopower,4-WireTOUCHSCREENCONTROLLERwithSPI??Interface	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
TSC2005IYZLR	文件：768.22 Kbytes Page：44 Pages	1.6Vto3.6V,12-Bit,Nanopower,4-WireTOUCHSCREENCONTROLLERwithSPI??Interface	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
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TSDF2005W	文件：116.3 Kbytes Page：7 Pages	SymbolLEDin2x5mmFlatandTintedTop-DiffusedPackage Features ●Verylownoisefigure ●Veryhighpowergain ●HightransitionfrequencyfT=25GHz ●Lowfeedbackcapacitance ●Emitterpinsarethermalleads Applications Forlowcurrent,low–noiseapplications,suchasinRF front–ends,inanalogueanddigitalcellularand cordles	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
TZ2005A	文件：416.44 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD3.2x2.547.0244MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UF2005	文件：266.756 Kbytes Page：2 Pages	2A600VFastrecoverydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
UF2005	文件：62.13 Kbytes Page：2 Pages	2.0AULTRA-FASTRECTIFIER Features ?DiffusedJunction ?Ultra-FastSwitchingforHighEfficiency ?SurgeOverloadRatingto60APeak ?LowReverseLeakageCurrent ?LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
UF2005	文件：95.49 Kbytes Page：3 Pages	2.0AULTRA-FASTRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
UF2005	文件：188.99 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTEFFICIENTPLASTICSILICONRECTIFIERVOLTAGE竊?0TO1000VCURRENT竊?2.0A FEATURE Lowpowerloss Highsurgecapability Glasspassivatedchipjunction Ultra-fastrecoverytimeforhighefficiency Hightemperaturesolderingguaranteed 250℃/10sec/0.375″leadlengthat5lbstension	GULFSEMIGulf Semiconductor 海灣電子海灣電子（山東）有限公司	GULFSEMI
UF2005	文件：91.02 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCY(ULTRAFAST)RECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-2.0Amperes FEATURES ●Lowcost ●Diffusedjunction ●Ultrafastswitchingforhighefficiency ●Lowreverseleakagecurrent ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
UF2005	文件：39.04 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-2.0Amperes FEATURES ●Lowcost ●Diffusedjunction ●Ultrafastswitchingforhighefficiency ●Lowreverseleakagecurrent ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
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UF2005	文件：1.96594 Mbytes Page：2 Pages	2.0AUltra-fastRectifier Features ?DiffusedJunction ?Ultra-FastSwitchingforHighEfficiency ?HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ?SurgeOverloadRatingto60APeak ?LowReverseLeakageCurrent ?PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
UF2005	文件：413.71 Kbytes Page：3 Pages	HighEfficiency(UltraFast)Rectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY

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晶體管資料

型號：
TRL2005
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質：
封裝形式：
極限工作電壓：
200V
最大電流允許值：
3A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
可代換的型號：
3DK104F,
最大耗散功率：
2W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
NO
vtest：
200
htest：
999900
atest：
3
wtest：
2

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多TRL2005供應商更新時間2024-10-26 15:00:00

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