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TRS24N65D	文件：166.51 Kbytes Page：5 Pages	SiC Schottky Barrier Diode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TRS24N65D,S1F	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
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IXFP24N65X	文件：317.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH24N65	文件：322.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=145mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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SIHA24N65EF	文件：190.38 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES ?FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:for	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB24N65E	文件：212.2 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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更多TRS24N65D供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 18:32:00

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